Вчені з сша запропонували технологію створення транзисторів з потенційно кращими характеристиками, ніж у актуальних рішень. Це може забезпечити зростання продуктивності процесорів навіть в епоху “кінця техпроцесів”. Ідею такого транзистора підгледіли у квантово-каскадних лазерів і вже подали заявку на патент.
Джерело зображення: tillmann kubis
В 1971 році в журналі «фізика і техніка напівпровідників» радянські фізики казарінов і сурис у статті «можливості посилення електромагнітних хвиль в напівпровідниках зі суперрешітки» висловили ідею, що при проході потоку електронів крізь гетерогенну структуру відбувається посилення електромагнітних хвиль, що дозволить генерувати лазерне випромінювання з невеликими витратами енергії. У такому “листковому печиво” відбувається посилення сигналу без прояву тунельних ефектів, що простіше піддається управлінню.
Група вчених їх університету пердью в штаті індіана припустила, що підсилювальний принцип перенесення електронів через надрешітку також буде працювати стосовно транзисторів, якщо надрешітку — «зебру» з чергуються напівпровідникових матеріалів — помістити на шляху руху потоку електронів від одного затвора до іншого. Так народилася концепція каскадного польового транзистора casfet.
Теоретично, транзистор casfet буде працювати з гранично малими струмами перемикань стану, що значно підвищить енергоефективність приладу. Правда, вчені поки не зробили жодного такого транзистора, щоб вивчити його характеристики на практиці. Зате заявка на патент вже подана, а зацікавлені виробники можуть звертатися за консультаціями.
